Rewolucyjny przełom w komputerach z pamięcią wielostanową, która może przechowywać 100 razy więcej danych

Od początku informatyki dane były tworzone, przetwarzane i przechowywane w dwóch stanach: zero lub jeden. W tych formularzach dane te przechodzą przez różne części systemu komputerowego. To wymaga czasu i energii. Aby usprawnić ten proces, naukowcy zUniwersytet Cambridge w Wielkiej Brytanii inaczej. Udało im się wynaleźć nowy system pamięci komputera, który może przechowywać do 100 razy więcej danych. W tym celu wykorzystali technikę znaną jako rezystancyjna pamięć przełączania. Zamiast wybierać jeden z dwóch stanów, proces umożliwia utworzenie ich całej masy. W tym celu stosuje się prąd elektryczny, który nieznacznie zwiększa lub osłabia opór elektryczny niektórych rodzajów materiałów i generuje jak najwięcej stanów do przechowywania danych. Materiały do ​​przechowywania są prywatne. W swoim prototypie naukowcy wykorzystali tlenek hafnu. Materiał ten jest zwykle używany jako izolator w przemyśle półprzewodnikowym. Zwykle jego właściwości nie sprzyjają przechowywaniu danych, ponieważ atomy tlenu i hafnu są przypadkowo wymieszane.

Różne poziomy oporu dla różnych krajów

Aby dane te mogły być przechowywane, zespół z Cambridge dodał bar do cienkich warstw tlenku hafnu. Składnik ten następnie naturalnie tworzy struktury kolumnowe na warstwach tlenku hafnu. Mostki te umożliwiają przepływ elektronów. Można też bawić się izolacją, tworząc mniej lub bardziej bariery za pomocą tlenku hafnu. Oporność można następnie dawkować, aby zwiększyć liczbę przypadków. Naukowcy wyjaśnili, że to urządzenie działa w taki sam sposób, jak synapsy w mózgu. Możliwe jest wówczas przechowywanie i przetwarzanie informacji w tym samym miejscu, unikając przesyłania danych, a tym samym oszczędzając czas, miejsce i energię. Według naukowców przy takim systemie pendrive może przechowywać 100 razy więcej informacji niż obecna pojemność.